EMC核心測試項目及標準（一）發(fā)射測試（EMI）測試項目檢測標準限值要求適用端口

傳導發(fā)射 (CE)	CISPR 32/IEC 61000-6-3	150kHz–30MHz，分QP/AV值限值	電源輸入端口
輻射發(fā)射 (RE)	CISPR 32/IEC 61000-6-3	30MHz–6GHz，電場(chǎng)強度限值	整機及線(xiàn)纜

（二）抗擾度測試（EMS）測試項目檢測標準嚴酷等級性能判據

靜電放電 (ESD)	IEC	接觸±8kV/空氣±15kV	B級（功能暫降恢復）
電快速瞬變脈沖群 (EFT/B)	IEC	±2kV（電源線(xiàn)），±1kV（信號線(xiàn)）	B級
浪涌 (Surge)	IEC	±2kV（線(xiàn)-地），±1kV（線(xiàn)-線(xiàn)）	B級（抗雷擊要求）
射頻輻射抗擾度 (RS)	IEC 61000-4-3	3V/m–10V/m（80MHz–1GHz）	A級（功能正常）
傳導抗擾度 (CS)	IEC 61000-4-6	3V–10V（0.15MHz–80MHz）	A級
電壓暫降/中斷 (Dips/Interruptions)	IEC 61000-4-11	30%電壓跌落（10ms）	B級

注：性能判據分級（IEC 61000系列）

A級：測試中及后功能正常；B級：功能暫降可自恢復；C級：需人工干預恢復。

三、典型故障模式與整改方案（一）傳導發(fā)射超標（150kHz–30MHz）

故障根源：

開(kāi)關(guān)管di/dt噪聲通過(guò)輸入線(xiàn)傳播 。

整改措施：

加裝X/Y電容+共模電感濾波電路（如π型濾波器） 。

優(yōu)化PCB布局：縮短高頻回路、增加退耦電容（例：Buck電路輸入加10μF陶瓷電容） 。

（二）輻射發(fā)射超標（30MHz–1GHz）

故障根源：

變壓器漏感/開(kāi)關(guān)管寄生電容產(chǎn)生天線(xiàn)效應 。

整改措施：

屏蔽：金屬外殼接地（接地阻抗。

線(xiàn)纜處理：輸出線(xiàn)套磁環(huán)（鎳鋅材質(zhì)，抑制100MHz+噪聲），屏蔽線(xiàn)纜端接360°接地 。

（三）靜電放電（ESD）失效

故障現象：

復位/死機（未接地金屬面板耦合至PCB） 。

整改措施：

面板增加絕緣涂層（厚度>0.5mm），接口加TVS管（如SMAJ5.0A，響應時(shí)間。

（四）EFT/B與浪涌測試失敗

EFT關(guān)鍵整改：

電源入口加 壓敏電阻（MOV） + 氣體放電管（GDT） 組合 。

浪涌防護設計：

三級防護：GDT（通流20kA）→ MOV（鉗位電壓）→ TVS（精細保護） 。

（五）傳導/輻射抗擾度失效

改進(jìn)方向：

電源反饋環(huán)路加RC濾波（抑制射頻注入），MCU電源加磁珠（如BLM18PG121SN1） 。

軟件抗干擾：ADC采樣中值濾波，看門(mén)狗防死機 。

四、嵌入式電源EMC設計要點(diǎn)

拓撲選擇優(yōu)先：

高噪聲場(chǎng)景避免電荷泵，優(yōu)選同步整流Buck（效率>90%，噪聲可控） 。

PCB分層策略：

4層板設計：Layer1信號→Layer2地→Layer3電源→Layer4信號，減少環(huán)路面積 。

接地系統設計：

數字/模擬地單點(diǎn)連接，散熱器接機殼地（避免浮地耦合） 。

五、測試認證流程優(yōu)化建議

預測試階段：

使用近場(chǎng)探頭定位噪聲源（如Rohde & Schwarz HZ-15） 。

整改迭代：

傳導發(fā)射→輻射發(fā)射→抗擾度的順序整改（EMI問(wèn)題常加劇EMS失效） 。

標準更新關(guān)注：

新標IEC :2018對230MHz以上輻射限值加嚴3dB 。

六、EMC設計閉環(huán)

YES

NO

電源拓撲選型

PCB布局優(yōu)化

濾波/屏蔽設計

預測試驗證

是否達標？

正式認證

針對性整改

注：嵌入式電源系統（如N+1冗余）需額外驗證模塊間干擾，單體電源重點(diǎn)優(yōu)化成本與EMC平衡 。

通過(guò)上述系統性設計+測試整改，可滿(mǎn)足IEC 61000、CISPR 32等核心標準要求，確保電源在復雜電磁環(huán)境中穩定運行。實(shí)際工程中建議參考的端口防護等級表（Table 9/10）進(jìn)行差異化設計 。